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大功率功放在接通电源的瞬间,巨大的浪涌电流对功放内部电子元器件的冲击影响不可忽视,于是在机箱内加装了一个软启动电路(附图中虚线部分即为增加的软启动电路)。 按下电源开关S,4只12Ω/l0W水泥电阻能有效抑制浪涌冲击电流,经2秒钟继电器吸合后,AC220V交流电便绕过4只水泥电阻给大功率环...
CBMG713表现出先断后合的切换动作。CBMG711/CBMG712/CBMG713支持TSSOP16和SOP16封装。...
之前的文章对MOS电容器进行了简单介绍,因此对MOS晶体管的理解已经打下了一定的基础,本文将对深入介绍NMOS晶体管的结构及工作原理,最后再从机理上对漏源电流的表达式进行推导说明。...
Sic MOSFET的正栅压目前已经于Si IGBT相当(+15V) ,但负栅压仍有很大差别(-5V) ,Sic MOSFET开关速度快引起的EMII问题需要关注。...
说实话,这些电路大多都是在面试或者课本里出现,考察一下大家对三极管的理解。 但真正在实际电路中,很少看到三极管工作在放大区。...
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。...
本文的目的是介绍高速ADC相关的理论和知识,详细介绍了采样理论、数据手册指标、ADC选型准则和评估方法、时钟抖动和其它一些通用的系统级考虑。 另外,一些用户希望通过交织、平均或抖动(dithering)技术进一步提升ADC的性能。...
三极管是一种电流放大器件,一般是用来放大电流或者作为电子开关使用,我这里主要以电子开关这种用法进行说明。...
顶部散热元件除了布局优势外,还具有明显的散热优势,因为这种封装允许热量直接耗散到组件的引线框架。铝具有高热导率(通常在100~210W/mk之间),因此最常用的散热器是铝制的。...
碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。...