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标签 > 第三代半导体
第三代半导体主要是材料的变化。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电电电子器件、光电子器件的重要材料,发展经历了三个阶段。
半导体材料是制作晶体管、集成电路、电电电子器件、光电子器件的重要材料,发展经历了三个阶段:
第一代材料是硅,以硅(Si)和锗(Ge )为代表,就是第一代半导体的产业园。
第二代材料是以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓( GaP )为代表,目前的大部分通信设备的材料。
第三点材料以氮化镓( GaN)、碳化硅( SiC)、金刚石为代表 ,未来5G时代的标配。
第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节,已成为兵家必争之地。
第三代半导体是一种新型的半导体材料,它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它们可以用于制造更小、更轻、更高效的电子元件,从而提高电子设备的性能。
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