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标签 > 砷化镓
砷化镓(gallium arsenide)是一种无机化合物,化学式为GaAs,为黑灰色固体,熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,禁带宽度1.4电子伏。
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砷化镓芯片的制造工艺相对复杂,需要使用分子束外延(MBE)或金属有机化学气相沉积(MOCVD)等专门的生长技术。而硅芯片的制造工艺相对成熟和简单,可以使...
砷化镓是一种半导体材料。它具有优异的电子输运性能和能带结构,常用于制造半导体器件,如光电器件和功率器件等。砷化镓的禁带宽度较小,使得它在电子和光学应用中...
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
紧凑型砷化镓相位正交(I/Q)混频器HMC525ALC4概述
采用两个标准的双平衡混频器单元和一个90°混合器,在砷化镓、金属半导体场效应晶体管(MES)中制造。金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造的90...
镓和锗是新兴的战略关键矿产,已被列入国家战略性矿产名录。中国在镓和锗的储量和出口方面都处于全球领先地位。
衢州智造新城消息显示,衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体及器件模组项目总投资110亿元,位于衢州智造新城高新片区及智造新城东港片区,总用地面积约...
砷化镓+ Si混合可编程线性霍尔IC-GS302SA-3产品说明
GS302SA-3通过磁场强度的变化,输出等比例霍尔电势,从而感知电流及线性位移,广泛用于电流传感器、线性马达等。由于GaAs的灵敏度比Si材料高1个数...
占据强势地位的IDM公司,比如Qorvo和Skyworks,持续丢失中国国内和三星的射频前端份额,必然会导致这类美系IDM公司缩小砷化镓晶圆厂产出规模。
砷化镓是不是金属材料 砷化镓属于半导体材料。砷化镓(化学式:GaAs)是镓和砷两种元素所合成的化合物,也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料,用来...
2023-02-14 标签:砷化镓 4205 0
砷化镓是发光材料,加上泵浦源和谐振腔,即可选频制成激光器。650nm-1300nm波长的低功率激光器都可以用砷化镓材料设计,典型代表是VCSEL(垂直腔...
产生量子纠缠的设备通常体积庞大,且每次只能产生一对纠缠光子。现在,科学家们发明了一种厚度约为一便士三分之一的装置,它不仅可以成对产生复杂的纠缠光子网,还...
AS169-73 PHEMT砷化镓集成电路单刀双掷开关规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2023-08-03 标签:砷化镓PHEMT单刀双掷开关 27 0
类别:IC datasheet pdf 2023-07-25 标签:功率放大器砷化镓 50 0
类别:IC datasheet pdf 2023-07-25 标签:放大器砷化镓 33 0
类别:IC datasheet pdf 2022-04-12 标签:砷化镓单刀双掷开关 343 0
类别:IC datasheet pdf 2021-04-12 标签:集成电路晶体管砷化镓 402 0
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