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标签 > 单晶
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由于GaN在高温生长时N的离解压很高,很难得到大尺寸的GaN单晶材料,因此,为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人员经过几十年的不...
外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲,外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。外延工艺广泛用于半导体制造,...
摘 要: 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切...
使用物理气相传输法(PVT)制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸 SiC 单...
单晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料为单晶NCM正极构建稳定结构和界面
单晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料因其高放电容量和良好的电化学性能而受到广泛关注,然而,单晶材料在高压下循环会发生严重的晶格畸变和电极/...
在2.8−4.6 V电压窗口中,PC-NCM811 在循环过程中表现出严重的容量衰减,在电流密度为0.5 C时,100和200次循环后的容量保持率分别仅...
报道称,最近德国马克思普朗克固体研究所的科学家帕斯卡-普帕尔(pascal puphal)提交了事前印刷本论文。该论文成功合成了lk-99单晶,实验结果...
2021年8月,全球先进材料集团Haydale宣布与空客公司共享一系列可防止雷击的石墨烯增强预浸料的知识产权,空客公司为该技术提交了联合专利申请。与现有...
为了制备单晶正极,将3 μm大小的氢氧化物前驱体粉末与LiOH均匀混合,并分别在850、900和950℃下煅烧10小时以获得S-NCM90、S-NCM8...
本文通过导模法制备了4英寸β-Ga2O3单晶,晶体外形完整,通过劳厄衍射、高分辨X射线摇摆曲线 分析确认晶体结晶质量较高。采用湿法刻蚀的方法,研究了晶体...
通过重复利用稀缺的 200mm 单晶供体,Soitec 能够助力这些大尺寸衬底的快速落地应用,赋能市场的增长。SmartSiC 的优化设计所带来的卓越生...
凭借着优良的产品品质和高客户粘性,海纳半导体在硅材料制造领域积累了丰富的经验和技术优势,综合实力稳步提高,2020 年成长为“浙江省隐形冠军”企业,本年...
原沸石是非结晶的,如粉末 X 射线衍射 (XRD) 图案所示。扫描电子显微镜 (SEM) 和透射电子显微镜 (TEM) 图像显示,原沸石是大小约为5-2...
为了了解高导电率的表面包覆层和Nb近表面掺杂的可行性,作者利用DFT计算研究了La和Nb元素在NCA材料中能量和电荷的差异。用La或Nb分别取代了Li1...
通过调节镁(Mg)和C60的比例,他们在常压条件下制得了两种紧密排列的准六方相和准四方相的Mg插层聚合物单晶,通过新的有机阳离子切片策略,使用四丁基水杨...
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