化学

使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验

关键词:超临界清洗，离子注入光刻胶，光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法，使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统，在40℃到100℃和...

2022-01-27 标签： 半导体晶圆化学 1764 0

关于硅的湿化学蚀刻机理的研究报告

摘要 本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更...

2022-01-25 标签： 半导体晶体化学 1513 0

关于薄膜金刚石的化学机械抛光的研究报告

摘要 纳米晶金刚石(NCD)可以保留单晶金刚石的优越杨晶模量(1100GPa)，以及在低温下生长的能力(450C)，这推动了NCD薄膜生长和应用的复兴。...

2022-01-25 标签： 机械晶圆化学 1532 0

关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告

摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中（100）砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影...

2022-01-25 标签： 半导体化学蚀刻 1835 0

蚀刻工艺关于湿化学处理后InP表面的研究

引言 本文将讨论在不同的湿化学溶液中浸泡后对InP表面的氧化物的去除。本文将讨论接收衬底的各种表面成分，并将有助于理解不同的外原位湿化学处理的影响。这项...

2022-01-12 标签： InP技术化学蚀刻 1351 0

多磷酸蚀刻剂的化学特性

摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的...

2022-01-07 标签： 化学蚀刻蚀刻工艺 945 0

单晶片背面和斜面清洁（下篇）

高级应用 在正面具有对损坏敏感的关键结构的应用中，例如对于32nm栅极多晶硅(AR5:1)图案化的晶片，该 系统可以被设置为无损坏地清洁。这是通过修改背...

2022-06-27 标签： 化学物理 485 0

RCA对薄栅氧化物分解特性的影响

引言 我们华林科纳已经研究了RCA清洗顺序的几种变化对薄栅氧化物(200-250A)的氧化物电荷和界面陷阱密度的影响。表面电荷分析(SCA) xvil1...

2022-06-20 标签： 半导体化学 471 0

硅KOH蚀刻：凸角蚀刻特性研究

引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先，确定控制底切的蚀刻前沿的晶面，并测量它们的蚀刻速...

2022-06-10 标签： 半导体化学制造工艺 815 0

化学镀NiP-Pd沉积过程中铜和镍的腐蚀

介绍 对于集成电路(IC)芯片，焊盘金属化是在晶片被切割和芯片被封装之前的制造过程中的最后一步。自集成电路工业开始以来，铝(Al)一直是使用最广泛的互连...

2022-06-09 标签： 半导体化学腐蚀 1231 0

不同清洗工艺对纳米粒子表面化学的影响（上）

介绍 纳米材料在从能源到医药和食品的众多应用中有着巨大的潜力。因此，这一革命性的科学技术领域正被广泛研究，作为满足未来社会需求的可能手段。在这种情况下，...

2022-05-10 标签： 纳米技术化学纳米生物 688 0

碱性湿法蚀刻抗蚀剂的评价及应用

本文主要报道了ProTEK PSB在实际应用条件下的图形化特性、抗蚀性和去除特性。研究发现了ProTEK PSB的两个问题:不可接受的大侧刻和有机溶剂或...

2022-02-09 标签： 化学腐蚀安卓 335 0

反应离子蚀刻的实用方法报告

关键词:反应离子刻蚀，加载和滞后效应，微掩膜，氮化镓，GaAs，磷化铟，纳米光子学 摘要 本文将描述反应离子刻蚀技术的一般方面，如各向异性、负载效应、滞...

2022-01-28 标签： 实验化学 1151 0

氮化镓的大面积光电化学蚀刻的实验报告

索引术语:氮化镓，蚀刻 摘要 本文介绍了我们华林科纳的一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意...

2022-01-28 标签： 化学蚀刻 1005 0