--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMTH3004LK3Q
- 名称 30V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 TO252
--- 产品详情 ---
产品简介
DIODES 的 DMTH3004LK3Q 该 MOSFET 旨在满足汽车应用的严格要求。它符合 AECQ101 资格并得到 PPAP 支持。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMTH3004LK3Q
名称 30V 175°C N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 TO252
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20, 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 21 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 75 A
PD @TC = +25°C (W) 107 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 7 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 44 nC
CISS Typ (pF) 2370 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
额定温度为 +175°C – 高环境温度环境的理想选择
高转换效率
低 R DS(ON) – 最大限度地减少通态损耗
低输入电容
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