电子发烧友App

硬声App

9
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>今日头条>用蚀刻法测定硅晶片表面的金属杂质

用蚀刻法测定硅晶片表面的金属杂质

  • 半导体(192798)
  • 设备(67294)
  • 蚀刻(13635)
收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。 侵权投诉

评论

查看更多

相关推荐

KOH湿法蚀刻工艺详解

引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于晶片微加工的最常用的蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其
2022-07-14 16:06:061134

RCA清洗中晶片表面的颗粒粘附和去除

溶液中颗粒和晶片表面之间发生的基本相互作用是范德华力(分子相互作用)和静电力(双电层的相互作用)。近年来,与符合上述两种作用的溶液中的晶片表面上的颗粒粘附机制相关的研究蓬勃发展,并为阐明颗粒粘附机制做了大量工作。
2022-07-13 17:18:44417

和SiO2的湿化学蚀刻机理

蚀刻机理 诸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的强含水碱性介质蚀刻晶体通孔 + 2 OH- + 2 H O (OH) + H 二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因为不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:22417

晶片的清洗技术

的实验和理论分析来建立晶片表面清洁技术。本文解释了金属和颗粒杂质在硅片表面的粘附机理,并提出了一些清洗方法。 介绍 LSI(大规模集成电路)集成密度的增加对硅片质量提出了更高的要求。更高质量的晶片意味着晶体精度、成形质量和
2022-07-11 15:55:45368

晶片清洗方式的详细说明

半导体制造业面临的最大挑战之一是表面污染薄片。最常见的是,晶片仅仅因为暴露在空气中而被污染,空气中含有高度的有机颗粒污染物。由于强大的静电力,这些污染物牢固地结合在晶片表面,给半导体制造行业带来了许多令人头痛的问题。
2022-07-08 17:18:50936

湿法蚀刻中的表面活性剂

本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅,以产生硬掩模
2022-07-08 15:46:16442

清洗晶圆基板的方法是什么

本发明一般涉及清洗和蚀刻表面的方法,以及更具体地涉及使用NF在低温下预清洗晶片,在使用晶片制造半导体器件的过程中,在晶片表面上可能会形成污染物和杂质,如外延沉积或氧化物层生长,去除污染物
2022-06-29 17:06:562613

HF蚀刻碱性化学清洗工艺对表面的影响

引言 为了在半导体工艺中获得均匀的电气特性、高可靠性和高倍率,保持硅酮基板清洁度的技术随着半导体器件的高密度化,其重要性日益增加。一般来说,半导体工艺中三个定义的目的是从基板表面去除粒子、有机物
2022-06-21 15:40:55578

硝酸浓度对晶片总厚度和重量损失的影响

新的微电子产品要求(Si)晶片变薄到厚度小于150 μm。机械研磨仍然会在晶片表面产生残余缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻方法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠薄晶片。本文研究了
2022-06-14 13:54:30437

金属蚀刻残留物对蚀刻均匀性的影响

引言 我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺,适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明,蚀刻速率主要取决于Cl浓度,而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始
2022-06-13 14:33:14326

KOH蚀刻:凸角蚀刻特性研究

引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:48633

车轮图案和宽分离的V形槽的蚀刻速率测量实验

我们介绍了在氢氧化钾溶液中蚀刻的车轮图案和宽分离的V形槽的蚀刻速率测量。数据表明,当使用货车轮图案时,存在反应物耗尽效应,这掩盖了真实的表面反应速率限制的蚀刻速率。与以前的报道相反,从受反应物传输
2022-05-11 16:30:56165

晶片的清洗技术

本文阐述了金属杂质和颗粒杂质在硅片表面的粘附机理,并提出了一些清洗方法。
2022-05-11 16:10:271

碱性KOH蚀刻特性的详细说明

氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于晶片微加工最常用的蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09:20414

使用单晶片自旋处理器的背面清洁研究

:H2O2:H2SO4:HF混合物是因为它允许对3种感兴趣的材料的蚀刻速率进行独立控制,而不会使表面变得粗糙,然后,在有意被各种金属污染的晶片上,以及在外来材料沉积或传统铜工艺过程中被污染的“生产晶片”上,检查化学效率。
2022-05-06 14:06:45130

单晶的各向异性蚀刻特性说明

为了形成膜结构,单晶硅片已经氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻
2022-05-05 16:37:36703

使用晶片处理技术在中产生沟槽结构

本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在中产生沟槽结构的简单技术,通过使用(110)Si的取向相关蚀刻,可能在中产生具有垂直侧壁的沟槽,与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向异性大于600∶1
2022-05-05 10:59:15587

蚀刻作为晶片化学镀前的表面预处理的效果

金属涂层,如铜膜,可以很容易地沉积在半导体材料上,如晶片,而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而,铜膜的粘附性可能非常弱,并且容易剥离。在本研究中,研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为晶片化学镀前
2022-04-29 15:09:06141

晶片的化学蚀刻工艺研究

抛光的硅片是通过各种机械和化学工艺制备的。首先,通过切片将单晶锭切成圆盘(晶片),然后进行称为研磨的平整过程,该过程包括使用研磨浆擦洗晶片。 在先前的成形过程中引起的机械损伤通过蚀刻是本文的重点。在准备用于器件制造之前,蚀刻之后是各种单元操作,例如抛光和清洁。
2022-04-28 16:32:37243

利用蚀刻法消除晶片表面金属杂质

为了将晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS,利用HF和HNQ混酸对晶片进行不同厚度的重复蚀刻,在晶片表面附近,研究了定量分析特定区域中消除金属杂质的方法。
2022-04-24 14:59:23204

利用原子力显微镜测量蚀刻速率

本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量蚀刻速率的简单方法,应用表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物,暴露底下新鲜。因此,可以实现在氢氧化钾溶液中对的选择性蚀刻,通过原子精密的AFM可以检测到蚀刻深度,从而获得了氢氧化钾溶液中精确的蚀刻速率。
2022-04-22 14:06:01737

用于晶圆的全新RCA清洗技术

目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先,用过氧化氢氧化硅晶片表面,用作为碱的氨蚀刻氧化硅,并通过剥离去除各种颗粒。另一方面,在SC-2清洗中,许多金属
2022-04-21 12:26:57943

单晶硅片与蚀刻时间的关系研究

本文研究了金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系,目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因,无论是与表面结构相关,缺陷相关,由于表面存在的氧化层,还是由于有机残差。
2022-04-18 16:36:05156

晶圆表面的金属及粒子的附着行为

半导体器件的高集成化,晶圆表面的高清洁度化成为极其重要的课题。在本文中,关于晶圆表面的金属及粒子的附着行为,对电化学的、胶体化学的解析结果进行解说,并对近年来提出的清洗方法进行介绍。
2022-04-18 16:33:59322

湿式化学清洗过程对晶片表面微粒度的影响

比的APM清洗被发现可以非常有效地清除表面的颗粒和金属杂质。由于APM清洗而导致的微粒度的增加在不同的晶片类型中有所不同;在EPI晶圆上观察到很少增加,但在CZ和FZ晶片上观察到显著增加。然而,
2022-04-14 13:57:20177

晶片蚀刻预处理方法包括哪些

晶片蚀刻预处理方法包括:对角度聚合的晶片进行最终聚合处理,对上述最终聚合的晶片进行超声波清洗后用去离子水冲洗,对上述清洗和冲洗的晶片进行SC-1清洗后用去离子水冲洗,对上述清洗和冲洗的晶片进行佛山清洗后用去离子水冲洗的步骤,对所有种类的晶片进行蚀刻预处理,特别是P(111)。
2022-04-13 13:35:46283

晶圆蚀刻过程中的化学反应研究

晶圆作为半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在晶片的制造工序中,使共有
2022-04-12 15:28:16599

单晶晶片的超声辅助化学蚀刻

氟化氢-氯化氢-氯气混合物进行各向异性酸性蚀刻是一种有效的方法 单晶晶片纹理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔结构[1,2]形貌取决于以下成分 蚀刻混合物[3]在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22154

晶圆蚀刻过程中的流程和化学反应

引言 晶圆作为半导体制造的基础材料,是极其重要的,将作为铸锭成长的硅单晶加工成晶圆阶段的切断、研磨、研磨中,晶圆表面会产生加工变质层。为了去除该加工变质层,进行化学蚀刻,在晶片的制造工序中,使
2022-04-08 17:02:10951

如何减少晶片表面上的金属杂质

本发明涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后,“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂,以减少残留在晶片表面的金属杂质
2022-04-08 13:59:221490

用于硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制

晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比,应力更小。 的各向同性湿蚀刻通常是硝酸和氢氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33396

如何成功地清除来自晶片表面的颗粒污染

为了成功地清除来自晶片表面的颗粒污染,有必要了解颗粒与接触的基底之间的附着力和变形,变形亚微米颗粒的粘附和去除机理在以往的许多研究中尚未得到阐明。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒(0.1-0.5mm)沉积
2022-04-06 16:53:50386

一种金属掩模层蚀刻碳化硅的方法

一种金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底;通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层;形成掩模层以暴露基底的底层区域;并以第一速率等离子体蚀刻基底的底层区域,同时以低于第一速率蚀刻掩模层。
2022-03-29 14:55:27957

关于晶片面的薄膜蚀刻法说明

,背面的膜会脱落,污染晶片正面。特别是Cu如果受到全面污染,就会成为严重的问题。 目前,在枯叶式设备中,冷却晶片背面膜的方法是翻转,翻转晶片进行蚀刻工艺的话,蚀刻均匀度最好在1%以下,但是,如果一面进行工程,工程时间将
2022-03-28 15:54:48721

Si晶圆表面金属在清洗液中的应用研究

随着器件的集成化,对Si晶片的要求也变得更加严格,降低晶片表面的金属污染变得重要,这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛
2022-03-28 15:08:53612

多晶表面纹理化的典型方法

实现的。在这种解决方案中,我们可以通过简单的工艺蚀刻多晶表面来降低反射光谱。在400 ~ 1100纳米范围内,氢氧化钾锯损伤去除后的酸性化学腐蚀获得了27.19%的反射率。这一结果比刚刚锯下的损伤去除基底少约7%。显微镜和扫描电镜观察表面形貌。
2022-03-28 14:20:49648

KOH湿法蚀刻工艺设计研究

在本研究中,我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻,并演示了优化的工艺配方,使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤,我们还提出了300mm晶圆处理湿浴槽的设计,作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:491340

晶片表面组织工艺优化研究

本文章将对表面组织工艺优化进行研究,多晶晶片表面组织化工艺主要分为干法和湿法,其中利用酸或碱性溶液的湿法蚀刻工艺在时间和成本上都比较优秀,主要适用于太阳能电池量产工艺。本研究在多晶晶片表面组织化
2022-03-25 16:33:49196

详解单晶的各向异性蚀刻特性

为了形成膜结构,单晶硅片已经氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂浓度
2022-03-25 13:26:341145

使用臭氧和HF清洗去除金属杂质的研究

本研究在实际单位工艺中容易误染,传统的湿式清洁方法去除的Cu和Fe等金属杂质,为了提高效率,只进行了HF湿式清洗,考察了对表面粗糙度的影响,为了知道上面提出的清洗的效果,测量了金属杂质的去除量
2022-03-24 17:10:27958

半导体基板的蚀刻方法简介

本文是为了在Si基板蚀刻制造金刚石时提高制造收率,为此,将半导体Si基板接入阳极,将Pt电极接入阴极后,在pt电极跳汰机内放入氮气泡泡器,旋转对向的正电极上外部认可电压,泡泡器内吹入氮气,在加温
2022-03-24 16:47:482571

局部阳极氧化和化学蚀刻表面的自然光刻

利用作为掩模的阳极多孔氧化铝的模式转移,制备了具有100nm周期性自有序结构的孔和柱阵列纳米结构,纳米图案的转移是通过一个涉及的局部阳极化和随后的化学蚀刻的组合过程来实现的。利用这一方法,可以通过改变蚀刻条件来制造负图案和正图案。
2022-03-23 11:05:54217

晶圆表面金属在清洗液中的行为

随着器件的集成化,对Si晶片的要求也变得更加严格,降低晶片表面的金属污染变得重要,这是因为Si晶片表面的金属污染被认为是氧化膜耐压和漏电流等电特性劣化的原因。在Si晶圆的清洗中RCA清洗被广泛
2022-03-21 13:40:12222

HF/H2O二元溶液中晶片变薄的蚀刻特性

质的影响。蚀刻率由深度蚀刻随时间的变化来确定。结果表明,随着蚀刻时间的延长,的厚度减重增加。在高分辨率光学显微镜下,可以观察到蚀刻的硅片表面的粗糙表面。XRD分析表明,蚀刻的晶体峰强度变弱,说明在衬底上
2022-03-18 16:43:11249

如何利用原子力显微镜测量蚀刻速率

本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量蚀刻速率的简单方法,应用表面的天然氧化物层作为掩膜,通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物,暴露地下新鲜。因此,可以实现在氢氧化钾溶液中对的选择性蚀刻,通过原子精密的AFM可以检测到蚀刻深度,从而获得了氢氧化钾溶液中精确的蚀刻速率。
2022-03-18 15:39:18229

单晶硅片碱性溶液中的蚀刻速率

本文研究了金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系,目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因,无论是与表面结构相关,缺陷相关,由于表面存在的氧化层,还是由于有机残差。
2022-03-16 13:08:09257

二氧化硅蚀刻标准操作程序研究报告

缓冲氧化物蚀刻(BOE)或仅仅氢氟酸用于蚀刻二氧化硅在晶片。 缓冲氧化蚀刻是氢氟酸和氟化铵的混合物。含氟化铵的蚀刻使表面具有原子平滑的表面高频。 由于这一过程中所涉及的酸具有很高的健康风险,建议用户使用在执行工艺之前,请仔细阅读材料安全数据表。
2022-03-10 16:43:35406

IPA蒸汽干燥晶片中的水分实验研究

为了评估各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度,我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是,通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS,研究了IPA蒸汽干燥后
2022-03-10 16:17:53296

Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻的影响

我们在蚀刻(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定,铜杂质吸附在表面上并作为钉扎
2022-03-10 16:15:56101

使用酸性溶液对晶片进行异常各向异性蚀刻

在本文中,我们首次报道了实现111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物,获得暴露出各种面外111平面的111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成,随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理,虽然没有完全理解,将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:42203

湿法蚀刻MEMS腔的工艺控制

的全面的物理和化学模型尚未建立。随着MEMS应用程序的不断增加,近年来人们对用来预测蚀刻表面面的过程建模、仿真和软件工具的兴趣越来越大。
2022-03-08 14:07:251426

晶片的酸刻蚀实验分析

已经完成了理解的三相、基于酸的湿法蚀刻中的传输和动力学效应的研究。反应物克服液相传质阻力和动力学阻力完成反应。由反应形成的气泡附着在表面上的随机位置,因此,表面的一部分被反应物遮蔽。这种气泡掩蔽
2022-03-08 14:05:09260

氢氧化钾在凸角处的蚀刻行为

各向异性蚀刻剂通过掩模中的矩形幵口在(100)晶片上产生由( 100)和(111)平面组成的孔。在这种情况下,孔的上角是尖的。如果通过无掩模湿法各向异性蚀刻工艺蚀刻整个表面,则上部拐角变圆。例如
2022-03-07 15:26:14157

碱性蚀刻中的绝对蚀刻速率

在 KOH 水溶液中进行湿法化学蚀刻期间, (1 1 1) 的绝对蚀刻速率已通过光学干涉测量法使用掩膜样品进行了研究。蚀刻速率恒定为0.62 ± 0.07 µm/h 且与 60 时 1–5 M
2022-03-04 15:07:09357

板法对于评估晶片表面上有机物质的时间依赖性行为

摘要 已开发出一种称为板法的方法,该方法使用具有清洁简单过程的小型取样装置,以直接评估来自洁净室空气的晶片表面上的有机污染物。使用这种方法,首次通过实验表明,硅片表面邻苯二甲酸二(2-乙基己基
2022-03-02 13:59:29133

蚀刻法对金属陶瓷薄膜进行电阻修整

二极管射频制备钽金属陶瓷薄膜的电学性能。研究了溅射和射频。氩气对这些薄膜进行溅射蚀刻。 可以看出,当从钽面积比超过50%的靶溅射时,钽-二氧化硅金属陶瓷薄膜具有正的电阻温度系数。这些薄膜的电阻率
2022-02-25 12:12:17182

SC1/SC2蚀刻后Si表面的分析

分析采用了特殊的横截面几何形状,增强了HRTEM对表面物种的敏感性。原子分辨率的HRTEM显微照片显示,只有当样品经历了SC1/SC2循环时,表面的纳米层中的结晶顺序才部分丧失。HRTEM和LEED
2022-02-23 14:15:22899

湿处理过程中介质上污染物的沉积

光伏制造湿法工艺步骤的评估表明杂质可能沉积在介质上。在取出晶片时,液体层保留在表面上。
2022-02-18 13:24:13477

湿法清洗中的金属杂质分离

在超大规模集成生产中,要实现低温加工和高选择性,使硅片表面超洁净至关重要。超净晶圆表面必须完全 没有颗粒、有机材料、金属杂质、天然氧化物和表面微粗糙度,和吸附的分子杂质。目前的干法工艺,如反应离子
2022-02-10 15:49:18214

硝酸浓度对晶片腐蚀速率的影响实验报告

150米以下。机械研磨仍然会在晶片表面产生残留缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠的薄晶片
2022-02-10 15:42:36314

关于HF与HNO3混合物中的湿化学蚀刻机理研究报告

。此外,离子色谱法测定稀释蚀刻剂溶液中亚硝酸盐离子浓度作为浓缩蚀刻剂中活性NIII的参数,确定了两种不同的蚀刻机制。在亚硝酸盐浓度高的区域,蚀刻速率明显与亚硝酸盐浓度无关。在较低的亚硝酸盐浓度下,蚀刻速率随亚硝酸盐c呈线性
2022-01-24 15:41:13662

关于使用酸性溶液对晶片进行异常各向异性蚀刻研究

介绍 在本文中,我们首次报道了实现111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物,获得暴露出各种面外111平面的111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究
2022-01-20 16:46:48212

半导体晶片湿蚀工艺的浮式数值分析

本研究透过数值解析,将实验上寻找晶片最佳流动的方法,了解目前蚀刻阶段流动的形式,并寻求最佳晶片蚀刻条件,蚀刻工艺效率低利用气泡提高湿法蚀刻工艺效果,实验的方法寻找最佳流动,通过数值分析模拟了利用
2022-01-19 17:11:32147

关于硝酸浓度对晶片腐蚀速率的影响报告

薄到150米以下。机械研磨仍然会在晶片表面产生残留缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠的薄晶片。 在本工作中,我们研究了在硝酸和氢氟酸的混合溶液中,不同硝酸浓度
2022-01-17 11:00:41296

温度对KOH溶液中多晶电化学纹理化的影响

引言 湿化学蚀刻是制造太阳能电池的关键工艺步骤。为了蚀刻单晶,氢氧化钾溶液被广泛使用,因为它们可以形成具有随机金字塔的表面纹理,从而增强单晶晶片的光吸收。对于多晶晶片表面纹理化通常通过在含
2022-01-13 14:47:19281

晶体衬底的表面织构和光学特性的说明

引言 本文介绍了表面纹理对晶圆光学和光捕获特性影响。表面纹理由氢氧化钾(KOH)和异丙醇(IPA)溶液的各向异性蚀刻来控制。(001)晶晶片的各向异性蚀刻导致晶片表面形成金字塔面。利用轮廓测量法
2022-01-11 14:41:58480

晶片表面刻蚀工艺对碳太阳能电池特性的影响

引言 为了分析不同尺寸的金字塔结构对太阳能电池特性的影响,我们通过各种刻蚀工艺在硅片上形成了金字塔结构。在此使用一步蚀刻工艺(碱性溶液蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)和金属辅助化学蚀刻)以及两步蚀刻
2022-01-11 14:05:05318

异丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥晶片中的水分

引言 为了评估各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度,我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是,通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS,研究了IPA蒸汽
2021-12-30 16:31:022562

Cu杂质对Si(110)湿法蚀刻的影响—苏州华林科纳半导体

引言 我们在蚀刻(110)表面上实验观察到的梯形小丘的形成,描述它们的一般几何形状并分析关键表面位置的相对稳定性和(或)反应性。在我们的模型中,小丘被蚀刻剂中的铜杂质稳定,铜杂质吸附在表面上并作
2021-12-29 17:04:31232

晶圆湿式用于蚀刻浴晶圆蚀刻

)、(TMAH)、NaOH等,但KOH与TMAH相比,平整度更好,并且只对的 100 表面做出反应,因此Fig。如1所示,具有54.74的各向异性蚀刻特性,毒性小。使用KOH的各向异性湿式蚀刻在压力传感器、加速度计、光学传感器等整体MEMS装置结构形成等中使用。 实验 KOH湿法蚀刻工艺 工艺
2021-12-23 09:55:35342

次氯酸钠对单晶表面的纹理蚀刻

单晶的各向异性蚀刻器件和微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形和矩形凹槽、棱锥体、薄膜和微孔,它们在器件中有很大的应用。
2021-12-17 15:26:07505

Fe和Cu污染对衬底少数载流子寿命的影响分析

在所有金属污染物中,铁和铜被认为是最有问题的。它们不仅可以很容易地从未优化的工艺工具和低质量的气体和化学物质转移到晶片上,而旦还会大大降低器件的产量。微波光电导衰减和表面光电压研究了p型和n型
2021-12-15 09:28:141592

南通华林科纳—硅片与氟蚀刻液界面金属杂质的去除

目前,在通过干燥工艺去除基体表面的金属杂质和损伤方面,湿式工艺是唯一的。因此,进一步提高工艺很重要。
2021-12-14 09:45:39879

光刻胶中金属杂质基基质的吸附机理 南通华林科纳分析

应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数,即烘烤温度和衬底类型(如裸、多晶、氧化物和氮化物)。结果表明
2021-12-13 10:02:32546

土壤重金属含量测定仪的功能

土壤重金属含量测定仪【恒美HM-ZSE】怎么样。当前重金属测定法测定速度慢、步骤繁琐且仪器昂贵。基于这种形势,我们开发出了重金属快速测定方法,土壤重金属含量测定仪【恒美HM-ZSE】可对蔬菜、食品、土壤、有机肥、烟叶等样品中的铅、砷、铬、镉、汞等进行快速联合测定
2021-09-08 11:19:55105

冷却法测定金属的比热容

冷却法测定金属的比热容学习使用金属比热容测量仪。冷却法,由已知金属比热容测定未知金属比热容。单位质量的物质,其温度升高1K(1℃)所需的热量叫做该物质的比热容,其值随温度而变化。
2008-12-05 16:18:27

关于晶片研磨之后的清洗工艺介绍

本发明的工艺一般涉及到半导体晶片的清洗。更确切地说,本发明涉及到可能存在于被研磨的单晶晶片表面上的有机残留物、金属杂质和其它特定的沾污物的清洗处理步骤的顺序。 集成电路制造中所用的半导体晶片
2020-12-29 14:45:211673

详细解析芯片里面的几千万的晶体管的实现

1、湿洗(各种试剂保持晶圆表面没有杂质) 2、光刻 (紫外线透过蒙版照射晶圆, 被照到的地方就会容易被洗掉, 没被照到的地方就保持原样. 于是就可以在晶圆上面刻出想要的图案. 注意
2018-02-08 16:41:5822951

离子注入技术实现金属表面的改性

金属表面注入一定的高能离子,这些离子与金属中的元素以及真空气氛中的某些元素在金属表面形成一种表面台金.借以改善金属表面的性能。本文通过大量的实验和分析得知,在碳
2011-05-22 12:39:0661

化学试剂-杂质测定标准溶液的制备 GB/T 602-200

范围本标准规定了化学试剂杂质测定标准溶液的制备方法。本标准适用于制备单位容积内含有准确数量物质(元素、离子或分子)的溶液,适用于化学试剂中杂质测定,也可
2010-10-02 10:41:0248

替代法测定未知电阻

替代法测定未知电阻    仪器    2V蓄电池;0~120Ω可变电阻箱;0~20mA毫安表;插塞开关;双路开关;待测电阻。为了便于进行实验,长约5m的26#康铜线
2009-10-13 08:05:321890

金属表面的氧化层介绍

金属表面的氧化层介绍 既然焊剂的主要功能是去除焊料及被焊金属表面的氧化物,那么就应对常见的金属铜、锡
2009-09-30 09:48:364966

固体的比热容及电热当量的测定

固体的比热容及电热当量的测定:1.学习掌握利用混合法进行量热的方法。2.学习混合法测定金属的比热容。3.用电热法测定金属的热功当量。一、混合法测量金属的比热容
2009-06-09 09:22:1327

拉伸法测金属丝的杨氏弹性模量

拉伸法测金属丝的杨氏弹性模量:1.掌握用光杠杆法测量微小长度的原理和方法。2.杨氏弹性模量仪,掌握拉伸法测定金属丝的杨氏弹性模量。3.学会用逐差法处理实验数据。
2009-06-09 09:18:3735

生产法测定车床刚度

实验一 生产法测定车床刚度一、实验目的1. 通过本实验掌握“生产法”测定机床刚度的方法及其原理。2. 进一步加深理解机床刚度对加工精度的影响。
2009-03-17 10:16:472219

拉伸法测定金属丝的杨氏弹性模量

实验7   拉伸法测定金属丝的杨氏弹性模量教学内容:1、讲述“拉伸法测定金属丝的杨氏弹性模量”实验的实验原理          2、介
2008-12-03 19:52:1224

已全部加载完成

下载硬声App