东芝推出功率MOSFET-“TPH9R00CQH”
0东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。
与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性之间的平衡，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance（N）这两种类型的表面贴装封装。
与此同时，东芝还提供各类工具，为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型，现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。
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东京-- 东芝 电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出搭载高效静电放电保护的双 MOSFET “SSM6N813R”，该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用，包括 LED 前照灯驱动器IC
发表于 04-15 11:07
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东芝推出新一代超结功率MOSFET，进一步提高电源效率
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
好消息 东芝650V超级结功率提高大电流设备效率的MOSFET问市
东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
发表于 03-15 15:44
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东芝针对汽车应用推出三款100V N沟道功率MOSFET产品
的能力主要通过实践培养起来的。 近日，东芝针对汽车应用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N沟道功率MOSFET产品，进一步扩充了产品线。这些产品符合AEC-Q101标准，应用于汽车设计中，有助于缩小汽车设备体积，满足当前市
东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920
东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 （“东芝
东芝推新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET 可大幅提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中
东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET
Corporation，简称“东芝”）推出了150V N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）“TPH9R00CQH”( https://toshiba.semicon-storage.com
东芝半导体N沟道30V MOSFET器件SSM6K809R介绍
随着科技的不断革新发展，MOSFET产品也经过技术的迭代升级有了更加优越的表现。但如何提升器件性能的同时进一步降低器件的自身损耗依旧是亟待解决的问题。为此东芝半导体拓展了MOSFET产品线，推出
东芝新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET支持车载大电流设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET，支持车载设备对更大电流的需求
中国上海， 2023 年 2 月 3 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET
发表于 02-06 10:01
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东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率
中国上海， 2023 年 3 月 30 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1
发表于 03-30 13:37
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东芝推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
工商网监
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