英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET，进一步降低应用损耗并提高可靠性
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【2022年3月31日，德国慕尼黑讯】在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTMMOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术，广泛适用于大功率应用，包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。
新产品可在更大电流下提供更出色的开关性能，相比于最佳硅器件，其反向恢复电荷（Qrr）和漏源电荷（Qoss）降低了80%。通过降低开关损耗，该产品可在缩小系统尺寸的同时，实现开关频率，从而提高能效和功率密度。沟槽技术为实现卓越的栅极氧化层可靠性奠定了基础，加之经过优化的耐雪崩击穿能力和短路耐受能力，即使在恶劣环境中亦可确保极高的系统可靠性。SiC MOSFET不仅适用于连续硬换向情况，而且可以在高温等恶劣条件下工作。由于它们的导通电阻（RDS(on)）受温度的影响小，这些器件实现了出色的热性能。
由于具备较宽的栅源电压（VGS）范围，为-5 V至23 V， 支持0 V关断以及大于4 V的栅源阈值电压（VGS(th)），新产品可以搭配标准的MOSFET栅极驱动器IC使用。此外，新产品支持双向拓扑，具有完全的dv/dt可控性，有助于降低系统成本和复杂度，并且易于在设计中使用和集成。.XT互连技术大幅提高了封装的散热性能。与标准互连技术相比，.XT互连技术可额外耗散30%的损耗。英飞凌新推出的采用D2PAK 7引脚封装的SiC MOSFET产品组合包括10款新产品，是市面上型号最齐全的产品系列之一。
供货情况
采用D2PAK 7引脚封装（TO-263-7）的650 V CoolSiC MOSFET系列新产品现已开放订购。如需了解更多信息，敬请访问www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes.
如需进一步了解英飞凌为提高能源效率所做出的贡献，敬请访问：www.infineon.com/green-energy
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英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP™5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它与
发表于 06-04 08:31
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英飞凌推出1200V SiC MOSFET 将提高可靠性和降低系统成本
大联大旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
发表于 04-23 16:18
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利用英飞凌IGBT单管设计手提式焊机
D2PAK封装杂散电感小， 开关损耗小，价格便宜，表贴安装于IMS材料上，热阻低，易于自动化焊接生产，可靠性高，非常适合做小巧，轻便，低价，高可靠性的单相手提式焊机。
东芝推出新一代超结功率MOSFET，进一步提高电源效率
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
华天科技进一步布局昆山集成电路产业 投资约20亿元人民币建设先进封装生产线
昆山开发区近日携手华天科技（昆山）电子有限公司，推进高可靠性车用晶圆级先进封装生产线项目，进一步布局当地集成电路产业。
智能配电网将让经开区供电可靠性进一步提高到99.999%
智能配电网让经开区供电可靠性进一步提高，提高到99.999%，与世界一流城市巴黎、东京一致。智能配电网让停电时间大大缩短，企业、社区一年不停电也并不稀奇。
发表于 09-06 15:22
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英飞凌推出650V SiC MOSFET，低压SiC市场竞争激烈
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
英飞凌新品：采用D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC™ MOSFET
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
高可靠性SiC MOSFET芯片优化设计
半导体于2021年推出SiC MOSFET产品，不仅一如既往的追求高可靠性，同时也拥有业内领先的高性能和竞争力。
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。
发表于 03-31 11:13
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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
(SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。 TOLL 封装的尺寸仅为 9.90
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