碳化硅(SiC),通常被称为金刚砂,是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在,但其出现相对罕见。然而,自从1893年以来,粉状碳化硅就已大规模生产,用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史,主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02324 随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点,因此在新能源
2023-09-05 09:04:42422 igbt和碳化硅区别是什么? IGBT和碳化硅都是半导体器件,它们之间的区别主要体现在以下几个方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘
2023-08-25 14:50:041325 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性,突破硅基半导体材料物理限制,是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展,碳化硅需求增速可观。
2023-08-19 11:45:22388 碳化硅,也称为SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍,硼,铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度,但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:45449 众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求,
2023-07-10 10:49:09336 碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件和应用四大环节,衬底与外延占据 70%的碳 化硅器件成本。根据中商产业研究院数据,碳化硅器件的成本构成中,衬底、外延、前段、 研发费用和其他分别占比为 47%,23%,19%,6%,5%,衬底+外延合计约 70%
2023-06-26 11:30:56368 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件,其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:15565 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20137 首先,让我们简要介绍一下碳化硅到底是什么,以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是,碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物质。事实上,碳化物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途,以至于今天,我们合成了用于碳化硅功率产品的硬质合金。
2023-05-20 17:00:09385 来源:碳化硅芯观察对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:20468 在半导体材料领域,碳化硅与氮化镓无疑是当前最炙手可热的明星。其中,碳化硅拥有高压、高频和高效率等特性,其耐高频耐高温的性能,是同等硅器件耐压的10倍。
2023-04-06 11:06:53271 全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节,已成为兵家必争之地。
2023-03-23 10:30:04858 碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET,特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。
在众多半导体器件中,碳化硅材料具有低热
2023-03-03 14:18:562522 进过晶圆切磨抛就变成碳化硅二极管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅衬底;再经过外延生长就变成碳化硅外延片,也就是雏形的芯片。碳化硅外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、CVD、PVD背面减薄、退火变成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:111157 摘要 一种用非金属掩模层蚀刻碳化硅的方法。该方法包括提供碳化硅基底;通过在基底上施加一层材料来形成非金属掩模层;形成掩模层以暴露基底的底层区域;并以第一速率用等离子体蚀刻基底的底层区域,同时以低于
2023-02-20 15:57:343 碳化硅在半导体芯片中的主要形式为衬底。半导体芯片分为集成电路和分立器件,但不论是集成电路还是分立器件,其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件”结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。
2023-02-19 10:18:48921 电机碳化硅技术是一种利用碳化硅材料制作电机的技术,它是利用碳化硅材料的特性,如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等,来提高电机的效率、耐久性和可靠性,从而降低电机的成本。
2023-02-16 17:54:002124 ,同时降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它们也并非都是一样的。为了实现碳化硅技术的承诺,开发人员必须仔细评估基于质量、供应和支持的产品和供应商选项,并且他们必须了解如何优化将这些破
2023-02-15 16:03:445 迁移率和体积小等特点,因此碳化硅能够应用于许多领域。 在储能领域,碳化硅的应用已经非常非常多了。 在经典的储能系统中包含了电源、DC/DC转换器、电池充电机以及把能量输送到家庭端或输送回电网的逆变器,碳化硅技术在这种配置
2023-02-12 15:12:32721 碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式,在1700℃温度中进行退火激活。另一个关键的工艺是碳化硅MOS栅氧化物的形成。由于碳化硅材料中同时有Si和C两种原子存在,需要非常特殊的栅介质生长方法。
2023-02-09 09:51:231292 碳化硅(SiC)又叫金刚砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成,其实碳化硅很久以前就被发现了
2023-02-07 17:35:461226 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:351813 碳化硅技术壁垒分析:碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口,也是一个很大的挑战,那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么?碳化硅技术壁垒有哪些? 1
2023-02-03 15:25:162931 碳化硅属于第三代半导体材料之一,具备大功率、低损耗、高可靠、低散热等特点,可应用于 1200 伏特以上的高压、严苛环境,可广泛应用于风电、铁路等大型交通工具,及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网
2023-02-03 14:49:52256 碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变,但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值,继续升高温度,导电率又会下降。
2023-02-03 09:31:233910 特斯拉碳化硅技术怎么样?特斯拉碳化硅技术成熟吗? 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高压、耐高温等优点,碳化硅技术能够帮助电动汽车实现快速充电,增加续航;这个特性使得众多的车企把目光投注过来。 我们
2023-02-02 17:39:092196 碳化硅(SiC)是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用于制造芯片,这是半导体行业的基石。碳化硅是通过在电阻炉中高温熔化石英砂,石油焦,锯末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4415323 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体,碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后,更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00327 碳化硅原理是什么 碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:021390 前言:碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节,衬底成本占到
2023-01-05 11:23:19799 摘 要 基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三合一电驱动总成的冷却系统设计方案
2022-12-21 14:05:03848 来源:中国电子报 日前,国际碳化硅大厂安森美宣布,其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成,未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25604 金属污染物,如碳化硅表面的铜,不能通过使用传统的RCA清洗方法完全去除。RCA清洗后,在碳化硅表面没有形成化学氧化物,这种化学稳定性归因于RCA方法对金属污染物的不完全去除,因为它通过氧化和随后
2022-09-08 17:25:46942 自从碳化硅MOS管在Model3牵引电驱中使用后,整个世界对碳化硅的讨论就没有停过,也促进了碳化硅MOS管在充电桩与新能源汽车中的应用,从而提高充电速度与续航里程。现在,碳化硅MOS出了一系列750 V典型耐压的,它希望能够将以前仅用于新能源车、太空飞船和高阶工控技术引入消费者的充电头中。
2022-09-02 10:55:041073 以下是有关用于电源应用的碳化硅 (SiC) 的 10 个事实,包括 SiC 如何实现比硅更好的热管理。
2022-08-17 17:11:011224 刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.5高温
2022-01-04 16:34:33209 和应用》6.2.2高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.1反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.6离子注
2022-01-04 14:23:45192 和应用》6.2.3湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.2高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.1反应
2022-01-04 14:11:56303 6.2.1反应性离子刻蚀6.2刻蚀第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2021-12-31 10:57:22359 6.2.2高温气体刻蚀6.2刻蚀第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.2.1反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.6
2021-12-31 10:31:17329 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业,率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件,为业界熟知,并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动中
2021-11-29 14:54:087341 前言 碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节,衬底成本占到
2021-08-16 10:46:404802 碳化硅器件在电动汽车中的应用介绍说明。
2021-06-10 10:51:0872 金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等
2018-01-03 09:48:4819551 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 (SiC),俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。 不过,自 1893 年以来,粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史,主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:4554 碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491154
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