SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战:传统封装杂
2023-09-24 10:42:40221 本文研究SiC碳化硅功率模块及分立器件,功率模块主要包括碳化硅MOSFET模块(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二极管(主要是碳化硅肖特二极管)。
2023-09-08 11:30:45522 随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点,因此在新能源
2023-09-05 09:04:42643 碳化硅(SiC)技术带来了无限的新机会。只要存在对高可靠性功率系统的需求,碳化硅 MOSFET 就能在许多行业中的许多不同应用(包括必须在恶劣环境中工作的应用)中实现高效率。
2023-07-17 09:01:0895 碳化硅(SiC)功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有许多优势和广泛的应用前景。
2023-06-28 09:58:091045 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱,本期为番外篇,前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游,本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场,以及未来的发展趋势,感谢各位
2023-05-31 09:43:20153 碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。
2023-05-25 10:05:21265 碳化硅(SiC)已经成为一个明确的选择,因为它已经成熟并且是第三代。基于 SiC 的 FET 具有许多性能优势,特别是在效率、更高的可靠性、更少的热管理问题和更小的占位面积方面。这些适用于整个功率谱,不需要彻底改变设计技术,尽管它们可能需要一些调整。
2023-05-24 10:15:29329 碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用主要有以下几个方面。
2023-04-27 14:05:52417 随着能源和环境问题日益严重,新能源汽车、智能电网等高效、环保的应用领域对功率器件的性能提出了更高的要求。碳化硅(SiC)功率器件以其优异的物理特性,如更高的电压承受能力、更低的导通损耗和更快的开关
2023-04-14 14:55:27262 碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:16866 碳化硅MOS优点:高频高效,高耐压,高可靠性。可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度。
2023-04-12 09:45:431825 SiC器件是一种新型的硅基 MOSFET,特别是 SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN结组成。
在众多半导体器件中,碳化硅材料具有低热
2023-03-03 14:18:562654 什么是第三代半导体?我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体,这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:471608 碳化硅作为第三代半导体经典的应用,具有众多自身优势和技术优势,它所制成的 功率器件 在生活中运用十分广泛,越来越无法离开,因此使用碳化硅产品的稳定性在一定程度上也决定了生活的质量。作为高尖精的产品
2023-02-21 09:20:506 碳化硅功率器件的可靠性是指该器件在正常工作条件下,能够持续稳定地提供所需的功率,并且不会出现故障或失效的可能性。
2023-02-19 17:27:09435 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发
电、光伏发电等新能源领域。
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移
2023-02-16 15:28:254 功率半导体碳化硅(SiC)技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技术的需求继续增长,这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率
2023-02-15 16:03:445 二十多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。
2023-01-17 10:31:44410 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点,被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前
2023-01-13 11:16:44889 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:19844 相比基于硅(Si)的MOSFET,基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平,但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。
2022-12-01 10:23:19704 器件可工作在更高的开关频率;同时,碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性,使电力电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向
2022-11-12 10:01:261207 碳化硅(SiC)功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:141371 碳化硅 (SiC) 器件与高功率应用中常用的硅器件相比具有多项优势。SiC 功率器件仍然面临一些大规模生产的挑战,包括缩放的限制因素、与 SiC 器件较小的管芯尺寸相关的散热问题、管芯上与封装相关的应变以及衬底可用性。
2022-08-09 10:13:161287 碳化硅已被证明是高功率和高电压设备的理想材料。但是,设备的可靠性极其重要,我们不仅指短期可靠性,还指长期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但可靠性和坚固性是碳化硅成功的关键。全球有 30
2022-08-09 08:02:071210 Agarwal 的播客中,我们将发现 SiC 的好处和应用。 讨论的文章: 改进碳化硅晶圆工艺 碳化硅功率模块建模 商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 的栅极漏电流行为研究 商用 1.2
2022-08-03 17:07:351165 许多基于硅的设计在提高效率、降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。虽然高压碳化硅为实现这些目标提供了一种有效的替代方案,但到目前为止,3.3 kV碳化硅功率器件的市场供应仍然有限。
2022-04-01 10:09:57865 8.2.11氧化层可靠性8.2金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.2.10.34H-SiC反型层
2022-03-07 09:51:01165 8.1.6功率JFET器件的实现8.1结型场效应晶体管(JFET)第8章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:8.1.5增强型和耗尽型工作模式∈《碳化硅技术
2022-02-21 09:29:28282 6.4.2.3p型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.2n型SiC的欧姆接触
2022-01-26 10:08:16310 6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-25 09:18:08423 6.4.1.2SiC上的肖特基接触6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术
2022-01-24 10:22:28255 6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术
2022-01-21 09:35:56319 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了产品性能和可靠性,保持惯有领先地位,更加适合电动汽车和高能效工业应用
2022-01-17 14:13:293056 5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55315 6.3.4.1SiC特有的基本现象6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容:6.3.3热氧化氧化硅
2022-01-05 13:59:37228 意法半导体最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了产品性能和可靠性,保持惯有领先地位,更加适合电动汽车和高能效工业应用
2021-12-17 17:23:252237 碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:404838 SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解说明。
2021-04-26 10:11:32135 东京——东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)今日宣布了一种可提高碳化硅(SiC)MOSFET[1]可靠性的新
2021-03-15 11:30:261834 碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域,受到大家的喜爱,不断地推陈出新,大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出,市场反应碳化硅元器件的效果非常好,但似乎对于碳化硅元器件的普及还有
2017-12-13 09:17:4421519 科锐实现50A碳化硅功率器件技术突破,为更多大功率应用带来更高效率和更低成本,包括1700V碳化硅MOSFET器件在内的科锐大功率碳化硅MOSFET器件降低电力电子系统成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161045 碳化硅功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比,科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性,并为能源效
2011-10-12 09:30:281045
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